Etude et Modelisation des Composants Actifs - Semestre 7

Annee Universitaire : 2023-2024
Semestre : 7
Credits : 2.5 ECTS
Specialite : Electronique Analogique

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PART A - Presentation Generale du Module

Vue d'ensemble

Ce cours approfondit l'etude des composants electroniques actifs (transistors bipolaires, MOSFETs, amplificateurs operationnels) en analysant leur physique interne, leurs modeles mathematiques et leur comportement en regime statique et dynamique. Il permet de passer d'une utilisation superficielle des composants a une comprehension fine de leurs performances et limitations.

Objectifs pedagogiques :

• Comprendre la physique des semi-conducteurs et des jonctions
• Maitriser les modeles des transistors bipolaires (BJT) et MOS
• Analyser les regimes de fonctionnement (lineaire, saturation, blocage)
• Caracteriser experimentalement les composants actifs
• Utiliser des simulateurs SPICE avec modeles avances
• Concevoir des circuits de polarisation et d'amplification

Position dans le cursus

Ce module s'appuie sur :

• Fondements electronique numerique (S5) : jonctions PN, transistors en commutation
• Circuits et Filtres analogiques (S5) : amplification, quadripoles
• Composants et notions de puissance (S5) : caracteristiques des composants

Il prepare a :

• Architectures analogiques systemes embarques (S7) : OTA, circuits integres
• Filtrage actif et modelisation sources bruit (S7) : amplificateurs operationnels
• Chaines electroniques acquisition (S8) : conditionnement de signaux
• Conception de circuits integres analogiques : design CMOS

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PART B - Experience Personnelle et Contexte d'Apprentissage

Organisation et ressources

Le module etait structure en cours magistraux et travaux diriges avec manipulations :

Cours magistraux (18h) :

Divises en 5 parties thematiques (Slides_EMCA_2020-2021_1 a 5) :

• Partie 1 : Physique des semi-conducteurs, jonction PN
• Partie 2 : Transistor bipolaire (BJT) - modeles et regimes
• Partie 3 : Transistor MOS - structure et fonctionnement
• Partie 4 : Modeles petit signal et applications
• Partie 5 : Amplificateurs differentiels et miroirs de courant

Travaux diriges (12h) :

• TD1 et TD2 : Transistor bipolaire (polarisation, amplification)
• TD3 : Introduction au transistor MOS
• TD4 et TD5 : Applications MOS avancees
• Corrections disponibles pour tous les TD

Evaluations :

• Controle continu (CC) en cours de semestre
• Examen final (annales disponibles 2015-2023)
• TP de caracterisation avec compte-rendu

Outils utilises :

• SPICE (simulation circuits avec modeles Gummel-Poon, BSIM)
• Oscilloscope et generateur de fonctions
• Traceur de caracteristiques (courbes I-V)
• Multimetres de precision

Methodologie d'etude

Phase 1 : Comprehension physique :

Etudier la structure interne du composant (jonctions, dopage, canaux) pour comprendre d'ou viennent les equations.

Phase 2 : Modelisation mathematique :

Maitriser les equations dans les differents regimes (blocage, actif, saturation pour BJT ; bloque, lineaire, saturation pour MOS).

Phase 3 : Analyse graphique :

Tracer et interpreter les caracteristiques statiques (IC vs VCE, ID vs VDS) pour visualiser les regimes.

Phase 4 : Petit signal :

Lineariser autour du point de fonctionnement et utiliser les modeles equivalents petit signal pour calculer gains et impedances.

Phase 5 : Simulation :

Valider les calculs analytiques avec SPICE, comparer avec les resultats experimentaux.

Difficultes rencontrees

Equations non-lineaires :

Les equations de Shockley et des transistors sont exponentielles (BJT) ou quadratiques (MOS). Resoudre graphiquement ou iterativement demande de la pratique.

Regimes de fonctionnement :

Identifier dans quel regime se trouve le transistor necessite de verifier plusieurs conditions (VBE, VCE pour BJT ; VGS, VDS pour MOS). Erreur frequente au debut.

Modeles petit signal :

Comprendre quand et comment lineariser, calculer les parametres dynamiques (gm, rπ, ro) a partir du point de repos.

Ecarts theorie/pratique :

Les modeles simples (Ebers-Moll, quadratique MOS) donnent des resultats approximatifs. Les effets de second ordre (Early, modulation de canal, temperature) expliquent les differences.

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PART C - Aspects Techniques Detailles

1. Physique des semi-conducteurs

Semi-conducteur intrinseque :

Materiau pur (silicium, germanium) avec concentration egale d'electrons et de trous.

A temperature ambiante :

• Silicium : ni = 1.5 × 10^10 porteurs/cm³
• Faible conductivite naturelle

Dopage :

Ajout d'impuretes pour augmenter la conductivite.

Type	Impurete	Porteurs majoritaires	Exemple
N	Phosphore, Arsenic (5 electrons)	Electrons	Donneur d'electrons
P	Bore, Aluminium (3 electrons)	Trous	Accepteur d'electrons

Jonction PN :

Interface entre zone P et zone N creant :

• Zone de depletion (zone desertee de porteurs libres)
• Barriere de potentiel (0.7V pour Si, 0.3V pour Ge)
• Comportement de diode (conduction unidirectionnelle)

Polarisation :

• Directe : P au +, N au - → conduction
• Inverse : P au -, N au + → blocage

2. Transistor bipolaire (BJT)

Structure :

Trois couches de semi-conducteurs : NPN (ou PNP symetrique).

• Emetteur (E) : fortement dope, source de porteurs
• Base (B) : tres fine, faiblement dopee
• Collecteur (C) : moderement dope, collecte les porteurs

Principe de fonctionnement :

Deux jonctions PN en serie :

• Jonction Base-Emetteur (BE) : polarisee en direct
• Jonction Base-Collecteur (BC) : polarisee en inverse (mode actif)

Les electrons injectes de l'emetteur traversent la base fine et sont collectes par le collecteur.

Courants et relations :

Courant collecteur : IC = β × IB

avec β (gain en courant) typiquement 50 a 300.

Courant emetteur : IE = IC + IB ≈ IC (car β grand)

Equation de Shockley :

IC = IS × exp(VBE / VT)

avec :

• IS : courant de saturation (depend de la geometrie et du dopage)
• VT : tension thermique ≈ 26 mV a 25°C

Regimes de fonctionnement :

Regime	Jonction BE	Jonction BC	Application
Bloque	Inverse	Inverse	Interrupteur OFF
Actif	Directe	Inverse	Amplification
Saturation	Directe	Directe	Interrupteur ON
Actif inverse	Inverse	Directe	Rarement utilise

Mode actif (amplification) :

• VBE ≈ 0.7V (jonction Si en conduction)
• VCE > 0.2V (pour rester hors saturation)
• IC = β × IB

Mode saturation (commutation ON) :

• VBE ≈ 0.8V
• VCE_sat ≈ 0.2V
• IC < β × IB (le gain β n'est plus respecte)

3. Modele petit signal du BJT

Principe :

Lineariser autour du point de repos (Q) pour analyser les variations de signaux de faible amplitude.

Parametres dynamiques :

Transconductance :

gm = IC / VT ≈ 40 × IC (mA)

Exemple : IC = 1 mA → gm = 40 mS

Resistance d'entree dynamique :

rπ = β / gm

Exemple : β = 100, gm = 40 mS → rπ = 2.5 kΩ

Resistance de sortie (effet Early) :

ro = VA / IC

avec VA (tension d'Early) typiquement 50 a 150V.

Modele equivalent petit signal :

• Entre base et emetteur : rπ en parallele avec Cπ (capacite BE)
• Source de courant controlee : gm × vbe
• Resistance de sortie : ro entre collecteur et emetteur
• Capacite Miller : Cμ entre base et collecteur

4. Transistor MOS (MOSFET)

Structure :

Transistor a effet de champ a grille isolee (oxyde).

Composants :

• Grille (G) : electrode de commande isolee par SiO2
• Source (S) : source de porteurs
• Drain (D) : collecte des porteurs
• Substrat (Bulk/Body) : generalement connecte a la source

Types :

• NMOS : canal N (electrons), substrat P
• PMOS : canal P (trous), substrat N

Principe de fonctionnement :

Tension VGS cree un champ electrique qui attire ou repousse les porteurs sous la grille, formant un canal conducteur entre source et drain.

Tension de seuil (VTH) :

Tension minimale VGS pour creer le canal.

Typiquement :

• NMOS : VTH ≈ 0.5 a 1V
• PMOS : VTH ≈ -0.5 a -1V

Regimes de fonctionnement :

Regime	Condition	Equation ID
Bloque	VGS < VTH	ID = 0
Lineaire (triode)	VGS > VTH, VDS < VGS - VTH	ID ∝ VDS (resistance controlee)
Saturation	VGS > VTH, VDS ≥ VGS - VTH	ID constant (source de courant)

Region lineaire :

Le transistor se comporte comme une resistance controlee en tension.

ID = K × [(VGS - VTH) × VDS - VDS² / 2]

avec K = μn × Cox × W/L

Region de saturation :

Le transistor est une source de courant controlee en tension.

ID = (K / 2) × (VGS - VTH)² × (1 + λ × VDS)

avec λ (coefficient de modulation de canal) << 1.

Parametres technologiques :

Parametre	Description	Valeur typique
μn	Mobilite electrons	500 cm²/Vs
μp	Mobilite trous	200 cm²/Vs
Cox	Capacite d'oxyde de grille	3-10 fF/μm²
W/L	Rapport geometrique	1 a 100
VTH	Tension de seuil	0.5-1V
λ	Modulation de canal	0.01-0.1 V⊃-1

Rapport W/L :

Plus W/L est grand, plus le courant ID est eleve pour un VGS donne.

Dimensionnement typique :

• Transistors de puissance : W/L > 10
• Transistors de signal : W/L ≈ 2-5
• Transistors de charge : W/L < 1

5. Modele petit signal du MOSFET

Parametres dynamiques :

Transconductance :

gm = 2 × ID / (VGS - VTH)

ou

gm = racine(2 × K × ID)

Resistance de sortie :

ro = 1 / (λ × ID)

Typiquement 10 kΩ a 100 kΩ.

Modele equivalent petit signal :

• Grille : haute impedance (pratiquement infinie en DC, capacites en AC)
• Source de courant : gm × vgs
• Resistance de sortie : ro entre drain et source
• Capacites parasites : Cgs, Cgd, Cdb

6. Configurations d'amplification

Trois configurations de base pour BJT et MOS :

Emetteur commun (EC) / Source commune (SC) :

Caracteristique	Valeur typique
Gain en tension	Av = -gm × RC (eleve, 10-100)
Impedance d'entree	Moyenne (BJT : rπ, MOS : infinie DC)
Impedance de sortie	Moyenne (RC // ro)
Dephasage	180° (inversion)
Application	Amplification general usage

Base commune (BC) / Grille commune (GC) :

Caracteristique	Valeur typique
Gain en tension	Av = gm × RC (positif)
Impedance d'entree	Faible (1/gm ≈ 25Ω pour BJT)
Impedance de sortie	Elevee
Dephasage	0° (pas d'inversion)
Bande passante	Tres large (pas d'effet Miller)
Application	Amplificateur RF, adaptation d'impedance

Collecteur commun (CC) / Drain commun (DC) (suiveur) :

Caracteristique	Valeur typique
Gain en tension	Av ≈ 1 (suiveur)
Impedance d'entree	Tres elevee
Impedance de sortie	Tres faible (1/gm)
Dephasage	0°
Application	Buffer, adaptation d'impedance

7. Polarisation des transistors

Objectif :

Fixer le point de repos Q (IC0, VCE0 pour BJT ; ID0, VDS0 pour MOS) pour permettre l'amplification du signal.

Polarisation par pont de base (BJT) :

Circuit classique avec 4 resistances : R1, R2 (diviseur de tension base), RC (collecteur), RE (emetteur).

Etapes de calcul :

1. Calculer VB = VCC × R2 / (R1 + R2)
2. Calculer VE = VB - 0.7V
3. Calculer IE = VE / RE
4. Calculer IC ≈ IE
5. Calculer VCE = VCC - RC × IC - RE × IE

Polarisation par source de courant (MOS) :

Utiliser un transistor MOS en saturation comme source de courant pour polariser un autre transistor.

Stabilite thermique :

Resistance d'emetteur RE ou resistance de source RS permettent de stabiliser le point de repos contre les variations de temperature.

8. Amplificateur differentiel

Structure :

Paire de transistors apparies avec source de courant commune.

Signaux :

• Mode differentiel : vd = v1 - v2
• Mode commun : vcm = (v1 + v2) / 2

Gains :

Gain differentiel : Ad = gm × RC

Gain de mode commun : Acm ≈ -RC / (2 × RE) (tres faible si RE grand)

Taux de rejection de mode commun (CMRR) :

CMRR = Ad / Acm

En dB : CMRR_dB = 20 × log(Ad / Acm)

Typiquement 60-100 dB pour un bon ampli differentiel.

Applications :

• Amplificateurs operationnels (etage d'entree)
• Comparateurs
• Amplification de signaux de capteurs (elimination du bruit de mode commun)

9. Miroir de courant

Principe :

Copier (recopier) un courant de reference vers une ou plusieurs branches.

Miroir simple MOS :

Deux transistors NMOS avec grilles connectees :

• M1 : monte en diode (grille connectee au drain), fixe IREF
• M2 : recopie le courant, IOUT = IREF × (W2/L2) / (W1/L1)

Si W2/L2 = W1/L1 alors IOUT = IREF.

Avantages :

• Generation de courants de polarisation precis
• Economie de resistances
• Facilite d'integration

Miroir de Wilson :

Version amelioree avec meilleure precision et resistance de sortie plus elevee.

Applications :

• Polarisation de circuits integres
• Sources de courant pour amplificateurs differentiels
• Charges actives (remplacement de resistances RC)

10. Effets de second ordre

Effet Early (BJT) :

Modulation de la largeur de base par VCE. Lorsque VCE augmente, la zone de depletion de la jonction BC s'elargit, reduisant la largeur effective de la base.

Consequence : IC augmente legerement avec VCE (pente non nulle dans la zone active).

Modele : IC = IS × exp(VBE / VT) × (1 + VCE / VA)

Tension d'Early VA : typiquement 50-150V.

Impact : resistance de sortie finie ro = VA / IC.

Modulation de canal (MOS) :

En saturation, l'augmentation de VDS reduit la longueur effective du canal (le point de pincement se deplace vers la source).

Consequence : ID augmente legerement avec VDS.

Modele : ID = (K/2) × (VGS - VTH)² × (1 + λ × VDS)

Coefficient λ : typiquement 0.01 a 0.1 V⊃-1.

Impact : resistance de sortie finie ro = 1 / (λ × ID).

Effets thermiques :

BJT :

• VBE diminue avec temperature : -2 mV/°C
• IC augmente si VBE est fixe (emballement thermique possible)
• β varie avec temperature

MOS :

• VTH diminue avec temperature : -2 a -4 mV/°C
• Mobilite μ diminue avec temperature (ID diminue)
• Comportement plus stable thermiquement que BJT

Effets capacitifs :

Capacites parasites limitent la bande passante :

• BJT : Cπ (jonction BE), Cμ (jonction BC, effet Miller)
• MOS : Cgs, Cgd (effet Miller), Cdb

Frequence de transition fT : frequence ou le gain en courant tombe a 1.

fT = gm / (2π × (Cπ + Cμ)) pour BJT

fT = gm / (2π × (Cgs + Cgd)) pour MOS

11. Modeles de simulation SPICE

Modele Ebers-Moll (BJT) :

Modele basique avec deux diodes et deux sources de courant controlees. Suffisant pour analyses simples.

Modele Gummel-Poon (BJT) :

Modele avance incluant :

• Effet Early
• Recombinaison dans la base
• Effets haute injection
• Dependances thermiques
• Capacites parasites

Standard pour simulation precise.

Modele Level 1 (MOS) :

Modele simple, equations quadratiques. Utilise pour enseignement.

Modele BSIM (Berkeley Short-channel IGFET Model) :

Modele industriel standard pour technologies submicroniques.

Versions : BSIM3, BSIM4, BSIM-CMG (FinFET).

Parametres extraits de mesures sur silicium (plusieurs centaines de parametres).

Inclut : effets de canal court, effets quantiques, effets de substrat, dependances geometriques.

Utilisation en simulation :

Fichier de modele fourni par le fondeur (.lib) contenant les parametres SPICE des transistors pour une technologie donnee (ex : 65nm, 28nm).

12. Caracterisation experimentale

Mesures statiques (courbes I-V) :

BJT :

• Tracer IC vs VCE pour differentes valeurs de IB (reseau de courbes)
• Identifier zone active (pente faible, effet Early), zone de saturation (VCE < 0.2V)
• Extraire β = IC / IB dans la zone active

MOS :

• Tracer ID vs VDS pour differentes valeurs de VGS (reseau de courbes)
• Identifier zone lineaire (pente forte), zone de saturation (courant constant)
• Extraire VTH : tension VGS ou ID commence a circuler
• Extraire K a partir de ID en saturation

Mesures dynamiques :

Transconductance gm :

Mesurer la variation de IC (ou ID) pour une petite variation de VBE (ou VGS) autour du point de repos.

gm = ΔIC / ΔVBE (a VCE constant)

Frequence de transition fT :

Mesurer le gain en courant en fonction de la frequence. fT est la frequence ou le gain vaut 1 (0 dB).

Capacites parasites :

Mesures avec pont d'impedance ou analyseur de reseau vectoriel.

13. Technologies avancees

MOSFET de puissance :

Structure verticale (VDMOS, UMOS) pour augmenter la tenue en tension et le courant.

Parametre cle : RDSon (resistance drain-source a l'etat passant). Plus faible = moins de pertes.

Applications : alimentations a decoupage, onduleurs, variateurs de vitesse.

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) :

Hybride BJT + MOSFET : commande en tension (grille MOS) + conduction bipolaire (faible chute de tension).

Applications : traction electrique, energie renouvelable, soudage.

Composants grand gap (GaN, SiC) :

Materiaux semi-conducteurs avec gap plus large que Si :

• Tenue en tension plus elevee
• Frequences de commutation plus rapides
• Fonctionnement haute temperature
• Pertes reduites

Applications : electronique de puissance haute performance, vehicules electriques, datacenters.

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PART D - Analyse Reflexive et Perspectives

Competences acquises

Comprehension physique :

Capacite a expliquer le fonctionnement des transistors depuis les bases physiques (jonctions, dopage, porteurs) jusqu'aux modeles mathematiques.

Modelisation et calcul :

Maitrise des equations des transistors, identification des regimes de fonctionnement, calcul de points de repos et de parametres petit signal.

Analyse de circuits :

Aptitude a analyser des circuits d'amplification et de polarisation, calculer gains, impedances, bande passante.

Simulation :

Utilisation efficace de SPICE avec modeles avances, interpretation des resultats, comparaison theorie/simulation.

Caracterisation experimentale :

Techniques de mesure des caracteristiques statiques et dynamiques, extraction de parametres, validation de modeles.

Points cles a retenir

1. Regimes de fonctionnement :

Toujours identifier dans quel regime travaille le transistor (bloque, actif/saturation, saturation/lineaire). Les equations changent selon le regime.

2. Petit signal vs grand signal :

Modeles petit signal valables seulement pour petites variations autour du point de repos. Pour grands signaux, utiliser les equations non-lineaires completes.

3. Effets de second ordre :

Modeles simples (Ebers-Moll, quadratique MOS) donnent des approximations. Effets Early, modulation de canal, temperature expliquent les ecarts.

4. BJT vs MOS :

• BJT : commande en courant (IB), transconductance elevee, bruit faible, consommation statique (IB)
• MOS : commande en tension (VGS), haute impedance d'entree, facilite d'integration, pas de consommation statique de grille

5. Simulation ≠ realite :

Les simulations sont aussi bonnes que les modeles utilises. Toujours valider par l'experience, surtout pour les performances critiques.

Retour d'experience

Courbe d'apprentissage :

Le cours necessite une bonne base en mathematiques et physique. La physique des semi-conducteurs est abstraite au debut mais devient claire avec les exemples concrets.

Importance des TD :

Les exercices de TD (5 series avec corrections) sont essentiels pour maitriser les calculs de polarisation, les modeles petit signal, et les applications MOS. Refaire les TD avant l'examen est crucial.

Annales precieuses :

Les annales d'examens (2015-2023) permettent de se familiariser avec le type de questions posees (calculs de point de repos, modeles petit signal, identification de regimes).

Lien theorie/pratique :

Les TP de caracterisation ont montre les ecarts entre modeles ideaux et composants reels (dispersion des parametres, effets parasites). Cela developpe l'esprit critique.

Applications pratiques

Conception analogique :

• Amplificateurs audio, RF, instrumentation
• Oscillateurs et generateurs de signaux
• Alimentations lineaires et regulateurs
• Circuits de conditionnement de capteurs

Circuits integres :

• Amplificateurs operationnels (etages d'entree differentiels, etages de sortie)
• Convertisseurs A/N et N/A
• Memoires (transistors MOS comme interrupteurs)
• Circuits logiques CMOS

Electronique de puissance :

• Onduleurs et convertisseurs DC-DC
• Variateurs de vitesse moteurs
• Chargeurs de batteries
• Alimentations a decoupage

Instrumentation :

• Preamplificateurs faible bruit
• Buffers haute impedance
• Multiplexeurs analogiques

Limites et ouvertures

Limites du cours :

• Focus sur technologies Si classiques (peu sur GaN, SiC)
• Peu d'approfondissement sur conception de circuits integres (layout, regles de dessin)
• Aspects bruit et distorsion non harmonique traites superficiellement

Ouvertures vers :

• Conception de CI analogiques : amplificateurs operationnels complets, references de tension, PLL
• Electronique RF : amplificateurs faible bruit (LNA), oscillateurs VCO, melangeurs
• Design de circuits integres : outils CAO (Cadence, Mentor), layout, extraction parasites
• Composants avances : FinFET, SOI (Silicon On Insulator), technologies BiCMOS

Evolutions technologiques

Miniaturisation :

Loi de Moore (doublement du nombre de transistors tous les 18-24 mois) continue mais ralentit.

Technologies actuelles : 3nm, 5nm (TSMC, Samsung).

Defis : effets quantiques, fuites de courant, dissipation thermique.

Technologies emergentes :

FinFET : transistor 3D avec grille enrobant le canal sur trois cotes. Meilleur controle du canal, moins de fuites.

GAA (Gate-All-Around) : prochaine generation apres FinFET. Grille entoure completement le canal.

FD-SOI (Fully Depleted Silicon On Insulator) : alternative aux FinFET avec meilleure efficacite energetique.

Composants grand gap :

GaN (Nitrure de Gallium) et SiC (Carbure de Silicium) revolutionnent l'electronique de puissance et RF haute frequence.

Integration 3D :

Empilement de puces pour augmenter densite et performance (HBM pour memoires, chiplets AMD/Intel).

Conseils pour reussir

1. Maitriser les bases physiques :

Comprendre le fonctionnement interne aide a retenir les equations et a resoudre les problemes.

2. Pratiquer les calculs :

Refaire tous les TD plusieurs fois jusqu'a maitriser les methodes (polarisation, petit signal, identification regimes).

3. Utiliser SPICE :

Simuler les exercices pour verifier les calculs et explorer l'impact des parametres.

4. Travailler les annales :

Les examens suivent des schemas recurrents. S'entrainer sur les annales 2015-2023 pour anticiper les questions.

5. Comprendre les ordres de grandeur :

Savoir qu'un VBE typique est 0.7V, un gm de 40 mS pour 1 mA, un β de 100, un VTH de 0.7V aide a detecter les erreurs de calcul.

Conclusion

Ce module est fondamental pour tout ingenieur en electronique. Il permet de passer d'une utilisation "boite noire" des transistors a une comprehension profonde de leur physique, modelisation et limitations.

Competences transferables :

• Modelisation de systemes physiques complexes
• Analyse non-lineaire et linearisation
• Validation experimentale de modeles theoriques
• Utilisation d'outils de simulation professionnels

Pertinence professionnelle :

La maitrise des composants actifs est indispensable en conception de circuits analogiques, RF, et puissance. Les competences acquises sont directement applicables en R&D et en bureau d'etudes.

Message principal :

Les transistors sont les briques de base de toute l'electronique moderne. Comprendre leur fonctionnement intime permet de concevoir des circuits performants, robustes et optimises.

Recommandations :

• Approfondir avec des projets de conception de circuits (amplificateurs, oscillateurs)
• Explorer les outils de conception de CI (Cadence, Magic VLSI)
• Etudier des datasheets de composants reels pour comprendre les specifications industrielles
• S'interesser aux nouvelles technologies (FinFET, GaN, SiC) pour rester a jour

Liens avec les autres cours :

• Circuits et Filtres analogiques - S5 : analyse de circuits
• Architectures analogiques systemes embarques - S7 : OTA, VCA
• Filtrage actif et modelisation sources bruit - S7 : amplificateurs operationnels
• Chaines electroniques acquisition - S8 : conditionnement capteurs

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Documents de Cours

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Cours suivi en 2023-2024 a l'INSA Toulouse, Departement Genie Electrique et Informatique.